近日，种子基金投资企业合肥中恒微半导体有限公司（以下简称“中恒微”）发布了最新产品1200V—600A的功率模块2B600M120S1P，进一步扩大了公司62mm封装IGBT模块阵容，产品在额定电流级别上领先于竞争对手。

　　产品通过高可靠性工艺体系和高自动化生产设备、工艺进行模块制造，提高可靠性，保证了性能的一致性，采用最新一代沟槽工艺的芯片技术，具有更高电流密度，应用于成熟的62 mm封装模块，可提高功率密度，且不增加封装尺寸，满足市场所需。该封装配有尺寸符合工业标准的基板，因而可以轻松兼容现有设计。相比较前代功率模块，输出功率提升了30%。

　　2B600M120S1P功率模块可让客户在不变更PCB（印制电路板）和电路情况下，直接替换老产品，从而在最短时间内达到输出功率和系统效率提升的目的。相对于市场主流公司产品，2B600M120S1P模块在开关损耗及饱和压降的平衡设计方面占有较大优势；相比于市面同类竞品，器件可减少损耗，有助于降低散热设计要求和成本，优势明显。